Τεχνικές προκλήσεις ανάπτυξης IGBT
Υπάρχουν τρία τεχνικά σημεία συμφόρησης στην τρέχουσα ανάπτυξη του IGBT: το ένα είναι η μείωση της απώλειας αγωγιμότητας. το άλλο είναι να μειωθεί η απώλεια ενεργοποίησης και η απώλεια ενεργοποίησης. το τρίτο είναι η ευρωστία και όλες οι παράμετροι πρέπει να λειτουργούν εντός της ασφαλούς περιοχής λειτουργίας (SOA), συμπεριλαμβανομένης της ασφαλούς περιοχής λειτουργίας προς τα εμπρός (FBSOA), της ασφαλούς περιοχής λειτουργίας με αντίστροφη πόλωση (RBSOA), της ασφαλούς περιοχής λειτουργίας διακόπτη (SSOA) και της βραχείας -περιοχή ασφαλούς λειτουργίας κυκλώματος (SCSOA). Η εξισορρόπηση και η βελτιστοποίηση αυτών των τριών σχέσεων μπορεί να επιτρέψει στα IGBT να αναπτυχθούν προς μεγαλύτερη ισχύ, μεγαλύτερη πυκνότητα και υψηλότερη αξιοπιστία.
Άφθονες ασφάλειες, η σειρά προϊόντων καλύπτει όλους τους σχετικούς τομείς οχημάτων νέας ενέργειας (Πακέτο, PDU, BDU, Ηλεκτρικός έλεγχος, Κινητήρας, MSD, Καλωδίωση χαμηλής τάσης), Σύστημα φόρτισης και μονάδα φόρτισης, Φωτοβολταϊκό Φ/Β ηλιακό κουτί, φωτοβολταϊκός μετατροπέας, UPS τροφοδοτικό, τροφοδοτικό επικοινωνίας 5G, βύσμα BS UK, Πίνακας ελέγχου ηλεκτρικών οικιακών συσκευών, τροφοδοτικό μονάδας φωτισμού και ούτω καθεξής.
Εάν έχετε οποιαδήποτε ερώτηση σχετικά με την προσφορά ή τη συνεργασία, μη διστάσετε να μας στείλετε email στο holly@delfuse.com